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當(dāng)前位置:網(wǎng)站首頁> 新聞動態(tài) > 行業(yè)新聞 >光伏模塊肖特基二極管應(yīng)用方案-綠色能源解決方案專家
發(fā)布時間:2022-11-29 15:57:07
大綱
•光伏(PV)市場概況
•什么是UltraBypassTM
•UltraBypassTM的市場和目標(biāo)客戶
•當(dāng)前市場應(yīng)用方案
•UltraBypassTM解決方案
•UltraBypassTM與肖特基能比較
•UltraBypassTMvs.肖特基二極管
–參數(shù)比較
–熱成像
•功耗比較
•總結(jié)
光伏(PV)市場概況
•330W 會使用3 顆該產(chǎn)品,1GW約使用9kk 該產(chǎn)品
•該產(chǎn)品在中國市場量約100KKpcs/月,每年15-18%的成長
•客戶:強x,宏x,揚x,敦x,4家的肖特基二極管占市場90%份額
什么是UltraBypassTM
UltraBypassTMGB1001是用于光伏應(yīng)用的開關(guān),當(dāng)太陽能面板的某些部分在正常操作過程中被遮蔽或損毀時,它的目的是為太陽能板串電流提供一條備用路徑,如果沒有旁路二極管,則陰影單元將顯示出熱點,這是由反向偏置單元中的過多功耗造成的。
當(dāng)前,常規(guī)的肖特基二極管用于減輕該問題。不幸的是,這些二極管的順向電壓仍然被認(rèn)為很高(約0.5V)。在這些二極管中流過16A電流時,功耗可高達(dá)8W,這又會升高這些二極管通常所在的接線盒內(nèi)部的溫度,并降低模塊的可靠性。
GB1001的優(yōu)點是其順向電壓比肖特基二極管低,在電流為8A時,典型的平均正向壓降為67.5mV。
UltraBypassTM的市場和目標(biāo)客戶
•中國地區(qū)光伏接線盒內(nèi)使用之低順向蕭特基(Low VFSchottky)主要顧客。
•UltraBypassTM主要在取代現(xiàn)在使用的低順向肖特基二極管,提供更低的功耗。
•目前中國每月需求量在100KKUnit以上,年增長率在15%以上。
當(dāng)前市場應(yīng)用方案
•低順向肖特基TO-263-2L封裝
–x公司銷售的130/150mil晶圓,VF約為0.47V@15A, IR約為100uA@25℃或以上,功耗非常高。
•STMicro 的“Cool Bypass” SPV100x 器件和TI的“Smart Bypass” SM74611 價格貴,大于1美元。
•ST的Cool Bypass具有IC,MOSFET和電容器三組件。不但成本太高,裝配過程也非標(biāo)準(zhǔn)制程
UltraBypassTM解決方案
•一個IC,一個MOSFET,使用的TO-252封裝。
•VF(Rdson) 通過MOSFET 選擇而可伸縮。低Rdson允許我們使用較小的封裝體。
•市售的雙模具TO-252(封裝體)具有成本效益和普遍性。
•定制40V BCD工藝,優(yōu)化成本結(jié)構(gòu)。
•無專利侵權(quán)問題。
UltraBypassTM與肖特基性能比較
UltraBypassTM和肖特基順向電壓VF比較
UltraBypassTM和肖特基逆向電流IR比較
GB1001V30 肖特基二極管
UltraBypassTMvs. SchottkyDiode 熱成像比較(8A)
GB1001V30 @8A 肖特基二極管@8A
UltraBypassTM vs. Schottky Diode 熱成像比較(16A)
GB1001V30 @16A 肖特基二極管@16A
功耗比較:
總結(jié):
GB100x Summary
Product Road Map(產(chǎn)品路線圖)