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原邊反饋
當(dāng)前位置：網(wǎng)站首頁(yè)> 產(chǎn)品中心 > 電源管理類 > AC/DC電源管理芯片 > 原邊反饋 >ME8327B 六級(jí)能效10W原邊反饋恒壓恒流控制器
來(lái)源：深圳晶立弘泰 作者：深圳晶立弘泰 發(fā)布時(shí)間：2016-07-14 00:51:50
產(chǎn)品描述:ME8327B 是一款滿足六級(jí)能效標(biāo)準(zhǔn)原邊反饋準(zhǔn)諧振
模式的小功率AC/DC 電源控制芯片。內(nèi)部集成了
650V,2A 的高壓功率MOS 管，最大功率10W，用于充
電器，適配器和LED 驅(qū)動(dòng)領(lǐng)域。實(shí)現(xiàn)±5%的恒壓恒流精
度和小于100mW 的待機(jī)功耗。在恒壓模式下內(nèi)置了線電
壓補(bǔ)償功能。采用準(zhǔn)諧振控制，實(shí)現(xiàn)高效率和良好的EMI
性能，滿足六級(jí)能效標(biāo)準(zhǔn)要求。
該芯片集成了諸多保護(hù)功能，包括：VDD 欠壓保護(hù)
(UVLO)，VDD 過(guò)壓保護(hù)，軟啟動(dòng)，逐周期過(guò)流保護(hù)，所
有管腳浮空保護(hù)，內(nèi)置前沿消隱，VDD 電壓鉗位保護(hù)，
過(guò)溫保護(hù)，等等。
產(chǎn)品指數(shù):
效率滿足六級(jí)能效要求
原邊反饋(PSR)準(zhǔn)諧振（QR）控制技術(shù)實(shí)現(xiàn)高效率，無(wú)需光耦和TL431
±5%恒壓恒流精度
待機(jī)功耗小于100mW
內(nèi)置650V高壓MOSFET功率管
最大功率10W
恒壓模式下內(nèi)置線壓降補(bǔ)償(Cable drop compensation)
內(nèi)置軟啟動(dòng)
所有管腳浮空保護(hù)
輸出過(guò)壓保護(hù)
逐周期電流限制
內(nèi)置前沿消隱(Leading edge blanking)
VDD欠壓保護(hù)(UVLO)，過(guò)壓保護(hù)及鉗位
過(guò)溫保護(hù)
應(yīng)用領(lǐng)域:
充電器
適配器
LED照明
ME8327B典型應(yīng)用圖:
5V1A充電器系統(tǒng)應(yīng)用圖
ME8327B 芯片腳位圖:
模式的小功率AC/DC 電源控制芯片。內(nèi)部集成了
650V,2A 的高壓功率MOS 管，最大功率10W，用于充
電器，適配器和LED 驅(qū)動(dòng)領(lǐng)域。實(shí)現(xiàn)±5%的恒壓恒流精
度和小于100mW 的待機(jī)功耗。在恒壓模式下內(nèi)置了線電
壓補(bǔ)償功能。采用準(zhǔn)諧振控制，實(shí)現(xiàn)高效率和良好的EMI
性能，滿足六級(jí)能效標(biāo)準(zhǔn)要求。
該芯片集成了諸多保護(hù)功能，包括：VDD 欠壓保護(hù)
(UVLO)，VDD 過(guò)壓保護(hù)，軟啟動(dòng)，逐周期過(guò)流保護(hù)，所
有管腳浮空保護(hù)，內(nèi)置前沿消隱，VDD 電壓鉗位保護(hù)，
過(guò)溫保護(hù)，等等。
產(chǎn)品指數(shù):效率滿足六級(jí)能效要求
原邊反饋(PSR)準(zhǔn)諧振（QR）控制技術(shù)實(shí)現(xiàn)高效率，無(wú)需光耦和TL431
±5%恒壓恒流精度
待機(jī)功耗小于100mW
內(nèi)置650V高壓MOSFET功率管
最大功率10W
恒壓模式下內(nèi)置線壓降補(bǔ)償(Cable drop compensation)
內(nèi)置軟啟動(dòng)
所有管腳浮空保護(hù)
輸出過(guò)壓保護(hù)
逐周期電流限制
內(nèi)置前沿消隱(Leading edge blanking)
VDD欠壓保護(hù)(UVLO)，過(guò)壓保護(hù)及鉗位
過(guò)溫保護(hù)
應(yīng)用領(lǐng)域:充電器
適配器
LED照明
ME8327B典型應(yīng)用圖:
5V1A充電器系統(tǒng)應(yīng)用圖
ME8327B 芯片腳位圖:
