產(chǎn)品中心
原邊反饋
當(dāng)前位置：網(wǎng)站首頁(yè)> 產(chǎn)品中心 > 電源管理類 > AC/DC電源管理芯片 > 原邊反饋 >ME8321 5W六級(jí)能效原邊反饋恒壓恒流電源管理芯片
來(lái)源：深圳晶立弘泰 作者：深圳晶立弘泰 發(fā)布時(shí)間：2016-07-11 19:11:40
產(chǎn)品描述:ME8321是一款滿足六級(jí)能效標(biāo)準(zhǔn)原邊反饋準(zhǔn)諧振
模式的小功率AC/DC電源控制芯片。內(nèi)部集成了650V
的高壓功率MOS管，用于充電器，適配器和LED驅(qū)動(dòng)
領(lǐng)域。實(shí)現(xiàn)±5%的恒壓恒流精度和小于100mW 的待機(jī)功
耗。在恒壓模式下內(nèi)置了線電壓補(bǔ)償功能。采用準(zhǔn)諧振控
制，實(shí)現(xiàn)高效率和良好的EMI 性能，滿足六級(jí)能效標(biāo)準(zhǔn)要求。
ME8321該芯片集成了諸多保護(hù)功能，包括：VDD欠壓保護(hù)
(UVLO)，VDD 過(guò)壓保護(hù)，軟啟動(dòng)，逐周期過(guò)流保護(hù)，所
有管腳浮空保護(hù)，內(nèi)置前沿消隱，VDD電壓鉗位保護(hù)，
過(guò)溫保護(hù)，等等。
產(chǎn)品指數(shù):
效率滿足六級(jí)能效要求
原邊反饋(PSR)準(zhǔn)諧振（QR）控制技術(shù)實(shí)現(xiàn)高效率，無(wú)需光耦和TL431
±5%恒壓恒流精度
待機(jī)功耗小于100mW
內(nèi)置650V高壓MOSFET功率管
恒壓模式下內(nèi)置線壓降補(bǔ)償(Cable drop compensation)
內(nèi)置軟啟動(dòng)
所有管腳浮空保護(hù)
輸出過(guò)壓保護(hù)
逐周期電流限制
內(nèi)置前沿消隱(Leading edge blanking)
VDD欠壓保護(hù)(UVLO)，過(guò)壓保護(hù)及鉗位
過(guò)溫保護(hù)
應(yīng)用領(lǐng)域:
充電器
適配器
LED照明
ME8321 5V1A充電器系統(tǒng)應(yīng)用圖:
模式的小功率AC/DC電源控制芯片。內(nèi)部集成了650V
的高壓功率MOS管，用于充電器，適配器和LED驅(qū)動(dòng)
領(lǐng)域。實(shí)現(xiàn)±5%的恒壓恒流精度和小于100mW 的待機(jī)功
耗。在恒壓模式下內(nèi)置了線電壓補(bǔ)償功能。采用準(zhǔn)諧振控
制，實(shí)現(xiàn)高效率和良好的EMI 性能，滿足六級(jí)能效標(biāo)準(zhǔn)要求。
ME8321該芯片集成了諸多保護(hù)功能，包括：VDD欠壓保護(hù)
(UVLO)，VDD 過(guò)壓保護(hù)，軟啟動(dòng)，逐周期過(guò)流保護(hù)，所
有管腳浮空保護(hù)，內(nèi)置前沿消隱，VDD電壓鉗位保護(hù)，
過(guò)溫保護(hù)，等等。
產(chǎn)品指數(shù):效率滿足六級(jí)能效要求
原邊反饋(PSR)準(zhǔn)諧振（QR）控制技術(shù)實(shí)現(xiàn)高效率，無(wú)需光耦和TL431
±5%恒壓恒流精度
待機(jī)功耗小于100mW
內(nèi)置650V高壓MOSFET功率管
恒壓模式下內(nèi)置線壓降補(bǔ)償(Cable drop compensation)
內(nèi)置軟啟動(dòng)
所有管腳浮空保護(hù)
輸出過(guò)壓保護(hù)
逐周期電流限制
內(nèi)置前沿消隱(Leading edge blanking)
VDD欠壓保護(hù)(UVLO)，過(guò)壓保護(hù)及鉗位
過(guò)溫保護(hù)
應(yīng)用領(lǐng)域:充電器
適配器
LED照明
ME8321 5V1A充電器系統(tǒng)應(yīng)用圖:
